MOSFET Infineon IRFB4615PBF, VDSS 150 V, ID 35 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
688-6967
Nº ref. fabric.:
IRFB4615PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

39 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

144000 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

26 nC a 10 V

Longitud

10.67mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

4.83mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

9.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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