MOSFET onsemi FDH5500_F085, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 864-8161
Nº ref. fabric.:: FDH5500_F085
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDH5500_F085, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

2,07 €

(exc. IVA)

2,50 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 18	2,07 €	4,14 €
20 - 38	1,80 €	3,60 €
40 +	1,615 €	3,23 €

*precio indicativo

Código RS:: 864-8161
Nº ref. fabric.:: FDH5500_F085
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

FDH5500_F085, N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 75A, 7mOhm

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor

El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Serie	UltraFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	375 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	118 nC a 10 V, 206 nC a 20 V
Ancho	15.87mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	20.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.82mm