MOSFET Infineon IPW65R190CFDFKSA1, VDSS 700 V, ID 17,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 906-4384
Nº ref. fabric.:: IPW65R190CFDFKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPW65R190CFDFKSA1, VDSS 700 V, ID 17,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 906-4384
Nº ref. fabric.:: IPW65R190CFDFKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	17,5 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	700 V
	Tipo de Encapsulado	TO-247
	Serie	CoolMOS™ CFD
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	190 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
	Tensión de umbral de puerta mínima	3.5V
	Disipación de Potencia Máxima	151 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
	Longitud	16.13mm
	Número de Elementos por Chip	1
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	68 nC a 10 V
	Ancho	5.21mm
	Material del transistor	Si
	Tensión de diodo directa	0.9V
	Altura	21.1mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 17,5 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 700 V
	Tipo de Encapsulado TO-247
	Serie CoolMOS™ CFD
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 190 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 4.5V
	Tensión de umbral de puerta mínima 3.5V
	Disipación de Potencia Máxima 151 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V
	Longitud 16.13mm
	Número de Elementos por Chip 1
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 68 nC a 10 V
	Ancho 5.21mm
	Material del transistor Si
	Tensión de diodo directa 0.9V
	Altura 21.1mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

Estado RoHS: No aplica

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CFD, corriente de drenaje continua máxima de 17,5 A, disipación de potencia máxima de 151 W - IPW65R190CFDFKSA1

Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, ofreciendo capacidades de conmutación eficientes que mejoran la funcionalidad de los circuitos electrónicos. Se utiliza ampliamente en la conversión y gestión de la energía, manejando eficazmente altas tensiones y corrientes, por lo que resulta crucial para numerosos proyectos de automatización e instalaciones eléctricas. Con una tensión de drenaje-fuente máxima de 700 V, cumple los rigurosos requisitos de los diseños electrónicos modernos.

Características y ventajas

• Admite una corriente de drenaje continua máxima de 17,5 A para un rendimiento fiable
• Presenta una baja resistencia de drenaje-fuente de 190mΩ, lo que aumenta la eficiencia
• Funciona a una temperatura máxima de +150°C para una mayor durabilidad
• Emplea un modo de mejora que permite controlar con precisión el flujo eléctrico
• Se presenta en un versátil encapsulado TO-247 para facilitar su implementación e integración
• Adecuado para procesos de ensamblaje automatizados y con taladro pasante

Aplicaciones

• Utilizados en sistemas de energía renovable como los inversores solares
• Empleado en estaciones de carga de vehículos eléctricos para una transferencia eficiente de energía
• Integración en sistemas de automatización industrial para un control eficaz de los motores
• Aplicable en circuitos de alimentación que requieren MOSFET de potencia de alta eficiencia
• Adecuado para la electrónica de consumo que necesita una conmutación de alta tensión compacta y fiable

¿Qué significa la tensión umbral de puerta máxima?

La tensión umbral de puerta máxima es importante para garantizar el funcionamiento eficaz del dispositivo, ya que define la tensión mínima necesaria para la conmutación, mejorando así la fiabilidad de los diseños de circuitos.

¿Puede este componente soportar entornos de alta temperatura?

Sí, puede funcionar con seguridad a temperaturas de hasta +150 °C, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta temperatura como los sistemas industriales y de automoción.

¿Cómo beneficia la baja Rds(on) al diseño de mi circuito?

Un Rds(on) más bajo reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia global de los sistemas de conversión de potencia y minimiza la generación de calor, algo vital para la fiabilidad.

¿Qué tipo de conexiones eléctricas admite?

Admite el montaje a través de orificios, por lo que es compatible con las líneas de montaje automatizadas, así como con los métodos de soldadura tradicionales.

¿Es compatible con aplicaciones de alta tensión?

Sí, está diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión con una tensión de drenaje-fuente máxima de 700 V, lo que garantiza su versatilidad en diversos entornos exigentes.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.