MOSFET Infineon IPP65R190E6XKSA1, VDSS 700 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
857-6930
Nº ref. fabric.:
IPP65R190E6XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS E6

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

151 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

4.57mm

Material del transistor

Si

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

73 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

15.95mm

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