MOSFET Infineon IPI65R190C6XKSA1, VDSS 700 V, ID 20 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Serie

CoolMOS C6

Tipo de Encapsulado

I2PAK (TO-262)

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

151 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

4.57mm

Longitud

10.36mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

73 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

9.45mm