MOSFET Infineon IPI70N04S406AKSA1, VDSS 40 V, ID 70 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 857-6738
- Nº ref. fabric.:
- IPI70N04S406AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 tubo de 500 unidades)*
307,00 €
(exc. IVA)
371,50 €
(inc.IVA)
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 500 - 2000 | 0,614 € | 307,00 € |
| 2500 - 4500 | 0,557 € | 278,50 € |
| 5000 + | 0,544 € | 272,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 857-6738
- Nº ref. fabric.:
- IPI70N04S406AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 70 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V | |
| Tipo de Encapsulado | I2PAK (TO-262) | |
| Serie | OptiMOS™ -T2 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 6,5 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 58 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Material del transistor | Si | |
| Longitud | 10mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Ancho | 4.4mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 24,5 nC a 10 V | |
| Altura | 9.25mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 70 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V | ||
Tipo de Encapsulado I2PAK (TO-262) | ||
Serie OptiMOS™ -T2 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 6,5 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 58 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Material del transistor Si | ||
Longitud 10mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Ancho 4.4mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 24,5 nC a 10 V | ||
Altura 9.25mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Estado RoHS: No aplica
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