MOSFET STMicroelectronics STI40N65M2, VDSS 650 V, ID 32 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
876-5676
Nº ref. fabric.:
STI40N65M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

32 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

I2PAK (TO-262)

Serie

MDmesh M2

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

99 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

250 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Ancho

4.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

56,5 nC a 10 V

Longitud

10.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Tensión de diodo directa

1.6V

Altura

9.35mm

COO (País de Origen):
CN

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics


Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).


Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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