MOSFET Infineon IPI80N06S207AKSA1, VDSS 55 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 857-6760
Nº ref. fabric.:: IPI80N06S207AKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPI80N06S207AKSA1, VDSS 55 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple

999999999 Entrega en 24 horas

999999999 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 500)

1,052 €

(exc. IVA)

1,273 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
500 - 2000	1,052 €	526,00 €
2500 - 4500	1,014 €	507,00 €
5000 +	1,001 €	500,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 857-6760
Nº ref. fabric.:: IPI80N06S207AKSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	I2PAK (TO-262)
Serie	OptiMOS™
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6,6 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	250 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	86 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Ancho	4.4mm
Altura	9.25mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C