Transistor MOSFET STMicroelectronics STI26NM60N, VDSS 600 V, ID 20 A, I2PAK de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
760-9629
Nº ref. fabric.:
STI26NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Serie

MDmesh

Tipo de Encapsulado

I2PAK

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

140 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Longitud

10.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Ancho

4.6mm

Altura

10.75mm

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics



Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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