MOSFET Infineon IRF1404LPBF, VDSS 40 V, ID 162 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 913-3815
Nº ref. fabric.:: IRF1404LPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF1404LPBF, VDSS 40 V, ID 162 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple

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**precio indicativo

Código RS:: 913-3815
Nº ref. fabric.:: IRF1404LPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 162 A, disipación de potencia máxima de 3,8 W - IRF1404LPBF

Este MOSFET ofrece una solución eficaz en diversas aplicaciones electrónicas, especialmente cuando es esencial un alto rendimiento. Sus avanzadas técnicas de procesamiento lo hacen idóneo para sistemas de automatización y control electrónico, contribuyendo a los modernos dispositivos de gestión de la energía.

Características y ventajas

• Proporciona una corriente de drenaje continua de 162 A para un rendimiento sólido
• Soporta una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V para un funcionamiento seguro
• Presenta una baja resistencia a la conexión (RDS(on)) de 4 mΩ, lo que mejora la eficiencia energética
• Utiliza la tecnología de modo de mejora para un mayor rendimiento de conmutación
• Admite el montaje a través de orificios, lo que facilita la integración en diseños existentes

Aplicaciones

• Se utiliza en circuitos de alta corriente para regular la potencia
• Adecuado para diseños de fuentes de alimentación en automatización industrial
• Aplicación en accionamientos de motores eléctricos y sistemas de control
• Ideal para convertidores CC-CC en sistemas de energías renovables

¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de potencia?

Puede manejar una disipación de potencia de hasta 3,8 W en condiciones específicas, lo que garantiza un rendimiento óptimo sin sobrecalentamiento durante el funcionamiento.

¿Es compatible con los diseños de montaje en superficie?

Aunque se presenta principalmente en el encapsulado I2PAK para aplicaciones de taladro pasante, puede integrarse en otros diseños industriales que requieran componentes robustos.

¿Cómo debe montarse para un rendimiento óptimo?

Siga las técnicas de montaje de orificios pasantes adecuadas para garantizar una soldadura segura y evitar fallos térmicos y mecánicos durante el funcionamiento.

¿Cuáles son las consecuencias de superar los límites especificados?

Exceder los límites de corriente o tensión de drenaje continuo puede provocar una sobrecarga térmica o daños permanentes en el dispositivo, afectando a la fiabilidad general del sistema.

¿Puede reutilizarse este componente una vez instalado?

La reinstalación es posible si se emplean técnicas de extracción cuidadosas, aunque los ciclos térmicos repetidos pueden afectar a la fiabilidad a largo plazo.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	162 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	I2PAK (TO-262)
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	3,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	160 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	10.54mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C