MOSFET Infineon IPA65R190E6XKSA1, VDSS 700 V, ID 20 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 857-8615
- Nº ref. fabric.:
- IPA65R190E6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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796,50 €
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964,00 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | 1,593 € | 796,50 € |
| 1000 - 2000 | 1,552 € | 776,00 € |
| 2500 + | 1,513 € | 756,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 857-8615
- Nº ref. fabric.:
- IPA65R190E6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 700 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220FP | |
| Serie | CoolMOS E6 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 190 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 34 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 73 nC a 10 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Longitud | 10.65mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Ancho | 4.85mm | |
| Altura | 16.15mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 20 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 700 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-220FP | ||
Serie CoolMOS E6 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 190 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 3.5V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2.5V | ||
Disipación de Potencia Máxima 34 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 73 nC a 10 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Longitud 10.65mm | ||
Material del transistor Si | ||
Ancho 4.85mm | ||
Altura 16.15mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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