MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo N-Canal IPA093N06N3GXKSA1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config.

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Código RS:
892-2309
Nº ref. fabric.:
IPA093N06N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

43A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-220FP

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Simple

Anchura

4.85 mm

Longitud

10.65mm

Altura

16.15mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM3, 60 a 80 V


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MOSFET de conmutación rápida para SMPS

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Calificado según JEDEC1) para aplicaciones de destino

canal N, nivel lógico

Excelente carga de puerta x producto R DS(on) (FOM)

Resistencia de conexión muy baja R DS(on)

Revestimiento sin Pb

Transistores MOSFET, Infineon


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