MOSFET Infineon, N-Canal IPA093N06N3GXKSA1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 892-2309
- Nº ref. fabric.:
- IPA093N06N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 892-2309
- Nº ref. fabric.:
- IPA093N06N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 60 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 43 A | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1 V | |
| Altura | 16.15 mm | |
| Longitud | 10.65 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 9.3 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20 V, +20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 33 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 36 nC | |
| Anchura | 4.85 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 60 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 43 A | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1 V | ||
Altura 16.15 mm | ||
Longitud 10.65 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 9.3 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20 V, +20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 33 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 36 nC | ||
Anchura 4.85 mm | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1) for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Pb-free plating
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TO-220FP 1, config. Simple
- MOSFET Infineon VDSS 55 V TO-220FP 1, config. Simple
- MOSFET Infineon VDSS 900 V TO-220FP 1, config. Simple
- MOSFET Infineon IPA65R190E6XKSA1 ID 20 A , config. Simple
- MOSFET Infineon IPA65R380C6XKSA1 ID 10 TO-220FP de 3 pines config. Simple
- MOSFET Infineon IPA65R310CFDXKSA1 ID 11 A config. Simple
- STMicroelectronics VDSS 600 V TO-220FP 1, config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 600 V TO-220FP 1, config. Simple