MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 10.3 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 133-9787
- Nº ref. fabric.:
- IPAW60R600CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 133-9787
- Nº ref. fabric.:
- IPAW60R600CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 600 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 10.3 A | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Número de pines | 3 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 900 mV | |
| Altura | 16.27 mm | |
| Longitud | 11.3 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.6 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30 V, +30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 28 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 20.5 nC | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 600 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 10.3 A | ||
Modo de canal Mejora | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Número de pines 3 | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 900 mV | ||
Altura 16.27 mm | ||
Longitud 11.3 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.6 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30 V, +30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 28 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 20.5 nC | ||
Anchura 4.9 mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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