MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAW60R600CEXKSA1, VDSS 600 V, ID 10.3 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
133-9867
Nº ref. fabric.:
IPAW60R600CEXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

CoolMOS CE

Encapsulado

TO-220FP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.6Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

28W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

11.3mm

Altura

16.27mm

Anchura

4.9 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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