MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRLIZ34NPBF, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
165-8101
Nº ref. fabric.:
IRLIZ34NPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Encapsulado

TO-220FP

Serie

HEXFET

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

8.9mm

Longitud

10.6mm

Anchura

4.8 mm

Número de elementos por chip

1

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 22 A, disipación de potencia máxima de 37 W - IRLIZ34NPBF


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y ofrece características esenciales para los profesionales de la automatización y la electrónica. Su configuración de canal N funciona en modo de mejora, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de tareas. El diseño garantiza un rendimiento sólido en aplicaciones que requieren una conmutación y una gestión de la alimentación fiables.

Características y ventajas


• Maneja una corriente de drenaje continua de hasta 22 A para un rendimiento sólido

• Funciona con una tensión de drenaje-fuente de 55 V para aplicaciones versátiles

• La baja resistencia térmica mejora la disipación del calor

• La rápida velocidad de conmutación mejora la capacidad de respuesta del sistema

• Alta capacidad de disipación de energía para un funcionamiento estable

• El compacto encapsulado TO-220 simplifica la instalación y maximiza el espacio

Aplicaciones


• Alta potencia en circuitos eléctricos

• Sistemas de robótica y automatización

• Gestión de energía para dispositivos electrónicos

• Accionamientos de motor e inversores

• Circuitos de alimentación para aumentar la eficiencia

¿Cómo se comporta este dispositivo a distintas temperaturas?


Este MOSFET funciona eficazmente desde -55°C hasta +175°C, lo que garantiza su fiabilidad en diferentes condiciones ambientales.

¿Qué tipo de configuración de circuito es compatible con él?


Es muy adecuado para circuitos que requieren la funcionalidad MOSFET de canal N, gestionando eficazmente altos flujos de corriente y niveles de tensión.

¿Qué implicaciones tiene su voltaje umbral de puerta?


Con una tensión de umbral de puerta entre 1 V y 2 V, permite conmutar a bajas tensiones, lo que facilita la integración en circuitos de control.

¿Cómo influye la gestión térmica en su funcionamiento?


La gestión térmica eficiente es crucial, ya que permite al dispositivo mantener el rendimiento sin sobrecalentarse, especialmente en aplicaciones de alta potencia o continuas.

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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