MOSFET Infineon IRLIZ34NPBF, VDSS 55 V, ID 22 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-8101
Nº ref. fabric.:: IRLIZ34NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLIZ34NPBF, VDSS 55 V, ID 22 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple

18 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 50)

0,863 €

(exc. IVA)

1,044 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	0,863 €	43,15 €
100 - 200	0,734 €	36,70 €
250 - 450	0,69 €	34,50 €
500 - 1200	0,639 €	31,95 €
1250 +	0,596 €	29,80 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-8101
Nº ref. fabric.:: IRLIZ34NPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	22 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	TO-220 FP
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	60 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	37 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Ancho	4.8mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	25 nC a 5 V
Longitud	10.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Tensión de diodo directa	1.3V
Altura	8.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C