MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STF13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 103-1999
- Nº ref. fabric.:
- STF13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 103-1999
- Nº ref. fabric.:
- STF13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25, -25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 16.4mm | |
| Anchura | 4.6mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25, -25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 16.4mm | ||
Anchura 4.6mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de potencia de canal N de 600 V, 280 mOhm típ., 11 A MDmesh II en un encapsulado TO-220FP
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N que incorporan la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una estructura vertical al diseño de bandas de la empresa para conseguir una de las cargas de puerta y resistencia de conexión más bajas del mundo. Por tanto, son adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
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