STMicroelectronics, Tipo N, Tipo N-Canal STF18N60M6, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
192-5002
Nº ref. fabric.:
STF18N60M6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220FP

Serie

Mdmesh M6

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

25W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Altura

16.4mm

Anchura

4.6 mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
La nueva tecnología MDmeshTM M6 incorpora los últimos avances de la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para una máxima eficiencia de la aplicación final.

Reducción de pérdidas de conmutación

RDS(on) inferior por área en comparación con la generación anterior

Resistencia de entrada de puerta baja

Protegido por Zener

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