Transistor MOSFET STMicroelectronics STF18N60M6, ID 13 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
192-5002
Nº ref. fabric.:
STF18N60M6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

13 A

Tipo de Encapsulado

TO-220FP

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

280 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

25 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

16,8 nC a 10 V

Ancho

4.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

Altura

16.4mm

COO (País de Origen):
CN
La nueva tecnología MDmesh™ M6 incorpora los avances más recientes a la conocida y consolidada familia MDmesh de los MOSFETs SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para obtener la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.

Reducción de las pérdidas de conmutación
RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior
Resistencia de entrada de punto de inyección baja

Protección Zener

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