MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
786-3647
Nº ref. fabric.:
STF18N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

MDmesh M2

Encapsulado

TO-220FP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.28Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21.5nC

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

25W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Altura

16.4mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.6 mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics


Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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