MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines

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Código RS:
168-7628
Nº ref. fabric.:
STF15N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220FP

Serie

MDmesh M5

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.34Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

85W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

16.4mm

Anchura

4.6 mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics


El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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