MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFI644GPBF, VDSS 250 V, ID 7.9 A, TO-220FP, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8325
- Nº ref. fabric.:
- IRFI644GPBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
63,85 €
(exc. IVA)
77,25 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 300 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,277 € | 63,85 € |
| 100 - 200 | 1,20 € | 60,00 € |
| 250 - 450 | 1,085 € | 54,25 € |
| 500 - 1200 | 1,021 € | 51,05 € |
| 1250 + | 0,958 € | 47,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-8325
- Nº ref. fabric.:
- IRFI644GPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.28Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 68nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.28Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 68nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-220-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 250V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 77mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 48W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Índice dv/dt dinámico
• encapsulado aislado
• Componente sin plomo (Pb)
• Baja resistencia térmica
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• La distancia de separación entre el disipador y el cable es de 4,8 mm
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 250 V TO-220FP config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 500 V TO-220FP config. Simple
- MOSFET onsemi NDF10N60ZG ID 10 A config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STF45N10F7 ID 110 A , config. Simple
- MOSFET onsemi NDF05N50ZG ID 5 TO-220FP de 3 pines, config. Simple
- MOSFET Infineon IPA65R310CFDXKSA1 ID 11 A config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STP11NK50ZFP ID 10 A config. Simple
- MOSFET onsemi NDF06N60ZG ID 7 TO-220FP de 3 pines, config. Simple