MOSFET onsemi NDF10N60ZG, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
124-5385
Nº ref. fabric.:
NDF10N60ZG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220FP

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

750 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Disipación de Potencia Máxima

39 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

4.9mm

Material del transistor

Si

Longitud

10.63mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

47 nC a 10 V

Altura

16.12mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
KR

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor



Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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