MOSFET STMicroelectronics STF28N60DM2, VDSS 650 V, ID 21 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
168-5889
Nº ref. fabric.:
STF28N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

21 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

MDmesh DM2

Tipo de Encapsulado

TO-220FP

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

160 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

30 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Ancho

4.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

Altura

16.4mm

COO (País de Origen):
CN

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