MOSFET STMicroelectronics STF28N60DM2, VDSS 650 V, ID 21 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 168-5889
- Nº ref. fabric.:
- STF28N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 168-5889
- Nº ref. fabric.:
- STF28N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 21 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220FP | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 160 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 30 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -25 V, +25 V | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 34 nC a 10 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Material del transistor | Si | |
| Ancho | 4.6mm | |
| Tensión de diodo directa | 1.6V | |
| Altura | 16.4mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 21 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 650 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-220FP | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 160 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 5V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 30 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V, +25 V | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 34 nC a 10 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Longitud 10.4mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Material del transistor Si | ||
Ancho 4.6mm | ||
Tensión de diodo directa 1.6V | ||
Altura 16.4mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- CN
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