MOSFET STMicroelectronics STF28N60DM2, VDSS 650 V, ID 21 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple

Ver todo MOSFET
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Código RS:
168-5889
Nº ref. fabric.:
STF28N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

21 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220FP

Serie

MDmesh DM2

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

160 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

30 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34 nC a 10 V

Ancho

4.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.4mm

Material del transistor

Si

Tensión de diodo directa

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

16.4mm

COO (País de Origen):
CN

MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics


Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.

Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101


Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Enlaces relacionados