MOSFET STMicroelectronics STP43N60DM2, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
168-5895
Nº ref. fabric.:
STP43N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

MDmesh DM2

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

93 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

250 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Material del transistor

Si

Ancho

4.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Longitud

10.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

15.75mm

COO (País de Origen):
CN

MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics


Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.

Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101


Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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