MOSFET IXYS IXTP8N65X2, VDSS 650 V, ID 8 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
917-1479
Nº ref. fabric.:
IXTP8N65X2
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

X2-Class

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

500 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Ancho

15.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Altura

4.7mm

Tensión de diodo directa

1.4V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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