MOSFET IXYS IXTP8N65X2, VDSS 650 V, ID 8 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
917-1479
Nº ref. fabric.:
IXTP8N65X2
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

X2-Class

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

500 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.3mm

Ancho

15.9mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

Altura

4.7mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS clase X2


La serie de MOSFET de potencia IXYS clase X2 ofrece una carga de resistencia y compuerta significativamente menor que las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, las pérdidas son menores y la eficiencia operativa es mayor. Estos sólidos dispositivos tienen un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en diversos paquetes estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares y control de iluminación y temperatura.

Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector


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