MOSFET IXYS IXTP2N65X2, VDSS 650 V, ID 2 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
917-1482
Nº ref. fabric.:
IXTP2N65X2
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

X2-Class

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

55 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,3 nC a 10 V

Longitud

10.3mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

15.9mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

Altura

4.7mm

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS clase X2


La serie de MOSFET de potencia IXYS clase X2 ofrece una carga de resistencia y compuerta significativamente menor que las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, las pérdidas son menores y la eficiencia operativa es mayor. Estos sólidos dispositivos tienen un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en diversos paquetes estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares y control de iluminación y temperatura.

Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector


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