MOSFET IXYS IXFP10N80P, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Marca

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Serie

HiperFET, Polar

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Ancho

4.83mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.66mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

9.15mm