MOSFET IXYS IXFX98N50P3, VDSS 500 V, ID 98 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

Ver todo MOSFET
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
802-4506
Nº ref. fabric.:
IXFX98N50P3
Fabricante:
IXYS
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

98 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

PLUS247

Serie

HiperFET, Polar3

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

1,3 kW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

197 nC a 10 V

Longitud

16.13mm

Ancho

5.21mm

Altura

21.34mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™


Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Enlaces relacionados