MOSFET STMicroelectronics STP7N60M2, VDSS 650 V, ID 5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
786-3814
Nº ref. fabric.:
STP7N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

MDmesh M2

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

950 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

60 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Material del transistor

Si

Ancho

4.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,8 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

15.75mm

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics


Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).


Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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