STMicroelectronics, N-Canal STP26N65DM2, VDSS 650 V, ID 25 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 192-4662
- Nº ref. fabric.:
- STP26N65DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 192-4662
- Nº ref. fabric.:
- STP26N65DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 25 A | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1.6 V | |
| Altura | 15.75 mm | |
| Longitud | 10.4 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 190 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 160 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie, Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Certificaciones y estándares | FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 35.5 nC | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 25 A | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1.6 V | ||
Altura 15.75 mm | ||
Longitud 10.4 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 190 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 160 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie, Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Certificaciones y estándares FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 35.5 nC | ||
Anchura 4.6 mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and Ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
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