MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STP18N65M2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 168-8839
- Nº ref. fabric.:
- STP18N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 168-8839
- Nº ref. fabric.:
- STP18N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 15.75mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 15.75mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Serie MDmeshTM M2 de canal N, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelecronics. Con su carga de puerta baja y excelentes características de capacitancia de salida, la serie MDmesh M2 es perfecta para usar en fuentes de alimentación de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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