MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STB6N60M2, VDSS 650 V, ID 4.5 A, TO-263, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
168-6980
Nº ref. fabric.:
STB6N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Serie

MDmesh M2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25, -25V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.35mm

Longitud

10.4mm

Anchura

4.6mm

Número de elementos por chip

1

COO (País de Origen):
CN

Serie MDmeshTM M2 de canal N, STMicroelectronics


Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelecronics. Con su carga de puerta baja y excelentes características de capacitancia de salida, la serie MDmesh M2 es perfecta para usar en fuentes de alimentación de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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