MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STB6N60M2, VDSS 650 V, ID 4.5 A, TO-263, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
168-6980
Nº ref. fabric.:
STB6N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

650 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

4.5 A

Encapsulado

TO-263

Modo de canal

Mejora

Número de pines

3

Número de elementos por chip

1

Configuración de transistor

Simple

Altura

9.35 mm

Longitud

10.4 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

1.2 Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V, -25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

60 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Serie

MDmesh M2

Anchura

4.6 mm

COO (País de Origen):
CN

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics


A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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