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    MOSFET STMicroelectronics STP18N65M2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

    Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

    2,46 €

    (exc. IVA)

    2,98 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Unidades
    Por unidad
    Por Pack*
    5 - 202,46 €12,30 €
    25 - 452,338 €11,69 €
    50 - 1202,104 €10,52 €
    125 - 2451,89 €9,45 €
    250 +1,798 €8,99 €

    *precio indicativo

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    Opciones de empaquetado:
    Código RS:
    876-5691
    Nº ref. fabric.:
    STP18N65M2
    Fabricante:
    STMicroelectronics

    COO (País de Origen):
    CN
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje12 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
    Tipo de EncapsuladoTO-220
    SerieMDmesh M2
    Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
    Conteo de Pines3
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente330 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima4V
    Tensión de umbral de puerta mínima2V
    Disipación de Potencia Máxima110 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-25 V, +25 V
    Número de Elementos por Chip1
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Longitud10.4mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs20 nC a 10 V
    Ancho4.6mm
    Material del transistorSi
    Tensión de diodo directa1.6V
    Altura15.75mm

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