MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STP18N65M2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 876-5691
- Nº ref. fabric.:
- STP18N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
11,64 €
(exc. IVA)
14,09 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Está siendo descatalogado
- Últimas 35 unidad(es) disponibles desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,328 € | 11,64 € |
| 25 - 45 | 2,216 € | 11,08 € |
| 50 - 120 | 1,992 € | 9,96 € |
| 125 - 245 | 1,788 € | 8,94 € |
| 250 + | 1,704 € | 8,52 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 876-5691
- Nº ref. fabric.:
- STP18N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 330mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25, -25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 4.6mm | |
| Altura | 15.75mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 330mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25, -25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 4.6mm | ||
Altura 15.75mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Serie MDmeshTM M2 de canal N, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelecronics. Con su carga de puerta baja y excelentes características de capacitancia de salida, la serie MDmesh M2 es perfecta para usar en fuentes de alimentación de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 650 V TO-220 1, config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STP43N60DM2 ID 34 A config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 650 V TO-220 1, config. Simple
- STMicroelectronics Tipo N-Canal STP26N65DM2 ID 25 A Mejora de 3 pines config. Simple
- MOSFET Infineon IPP60R099CPXKSA1 ID 31 A config. Simple
- MOSFET IXYS IXTP8N65X2 ID 8 A , config. Simple
- MOSFET Infineon IPP60R250CPXKSA1 ID 12 A config. Simple
- MOSFET IXYS IXTP2N65X2 ID 2 A , config. Simple