MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STP18N65M2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
876-5691
Nº ref. fabric.:
STP18N65M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

MDmesh M2

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-25/25 V

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Altura

15.75mm

Anchura

4.6 mm

Número de elementos por chip

1

COO (País de Origen):
CN

Serie MDmeshTM M2 de canal N, STMicroelectronics


Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelecronics. Con su carga de puerta baja y excelentes características de capacitancia de salida, la serie MDmesh M2 es perfecta para usar en fuentes de alimentación de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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