STMicroelectronics, Tipo N, Tipo N-Canal STP26N65DM2, VDSS 650 V, ID 25 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
192-4952
Nº ref. fabric.:
STP26N65DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Superficie, Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

160W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

35.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Longitud

10.4mm

Altura

15.75mm

Certificaciones y estándares

FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
Este MOSFET de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmeshTM DM2. Ofrece una carga de recuperación (Qrr) y un tiempo (trr) muy bajos combinados con un bajo RDS(on), lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes e ideal para topologías de puente y convertidores de desplazamiento de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Carga de puerta y capacitancia de entrada extremadamente bajas

Baja resistencia de conexión

Robustez dv/dt muy alta

Protegido por Zener

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