Transistor MOSFET STMicroelectronics STP26N65DM2, ID 25 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
192-4952
Nº ref. fabric.:
STP26N65DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

25 A

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

160 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.4mm

Ancho

4.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35,5 NC a 10 V.

Altura

15.75mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

COO (País de Origen):
CN
Este MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida DM2 de MDmesh™. Ofrece una carga de recuperación muy baja (Qrr) y tiempo (trr) combinados con RDS(on) bajo, lo que lo hace adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes e ideal para topologías de puente y convertidores de cambio de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Capacidad de entrada y carga de punto de inyección extremadamente baja
Baja resistencia

Muy alta resistencia dv/dt
Protección Zener

Enlaces relacionados