MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 500 V, ID 3.1 A, TO-220FP, 1, config. Simple

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Código RS:
180-8668
Nº ref. fabric.:
IRFI830GPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-220FP

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El Vishay IRFI830G es un MOSFET de potencia de canal N que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 500V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Tiene que tener un encapsulado TO-220 FULLPAK. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 1,5ohms a 10VGS.

Encapsulado aislado

Aislamiento de alta tensión = 2,5 kVrms (t = 60 s; f = 60 Hz)

Distancia de separación entre contactos de disipador a cable = 4,8 mm

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