MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
761-2751
Nº ref. fabric.:
STF13NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220FP

Serie

MDmesh

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

25W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.6 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Altura

16.4mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 600 V, 280 mOhm típ., 11 A MDmesh II en un encapsulado TO-220FP


Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N que incorporan la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una estructura vertical al diseño de bandas de la empresa para conseguir una de las cargas de puerta y resistencia de conexión más bajas del mundo. Por tanto, son adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.

Todas las características


  • Prueba de avalancha 100 %

  • Baja capacidad de entrada y carga de puerta

  • Baja resistencia de entrada de puerta

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