MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 151-416
- Número de artículo Distrelec:
- 304-29-904
- Nº ref. fabric.:
- STP6NK60ZFP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
15,00 €
(exc. IVA)
18,15 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1700 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,00 € | 15,00 € |
| 50 - 120 | 2,588 € | 12,94 € |
| 125 + | 2,028 € | 10,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-416
- Número de artículo Distrelec:
- 304-29-904
- Nº ref. fabric.:
- STP6NK60ZFP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 30.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 30.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, lograda mediante la optimización de un diseño Power MESH basado en tiras bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100% a prueba de avalanchas
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics STP6NK60ZFP ID 6 A config. Simple
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia FDmesh II VDSS 600 V Mejora, TO-220FP de 3
- Transistor MOSFET STMicroelectronics STF34NM60N ID 29 A, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia FDmesh II VDSS 600 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 600 V TO-220FP 1, config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STP3NK60ZFP ID 2 TO-220FP de 3 pines, config. Simple