MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo N-Canal IPA093N06N3GXKSA1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config.
- Código RS:
- 165-8110
- Nº ref. fabric.:
- IPA093N06N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 165-8110
- Nº ref. fabric.:
- IPA093N06N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 43A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.65mm | |
| Anchura | 4.85mm | |
| Altura | 16.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 43A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.65mm | ||
Anchura 4.85mm | ||
Altura 16.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM3, 60 a 80 V
Los productos OptiMOSTM están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para abordar las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de los estándares de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones informáticas.
MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Calificado según JEDEC1) para aplicaciones de destino
canal N, nivel lógico
Excelente carga de puerta x producto R DS(on) (FOM)
Resistencia de conexión muy baja R DS(on)
Revestimiento sin Pb
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa cartera de dispositivos MOSFET que incluye las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Proporcionan el mejor rendimiento de su clase para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Los diseños que requieren características de protección mejoradas y de alta calidad se benefician de los MOSFET con certificación de automoción de los estándares industriales AEC-Q101.
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