MOSFET Infineon IPP90R800C3XKSA1, VDSS 900 V, ID 6,9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 857-7040
Nº ref. fabric.:: IPP90R800C3XKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP90R800C3XKSA1, VDSS 900 V, ID 6,9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

999999999 Entrega en 24 horas

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Precio unitario (En un Tubo de 500)

1,155 €

(exc. IVA)

1,398 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
500 +	1,155 €	577,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 857-7040
Nº ref. fabric.:: IPP90R800C3XKSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	6,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	900 V
Serie	CoolMOS C3
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	800 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	104 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Longitud	10.36mm
Ancho	4.57mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	42 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Altura	15.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C