Nº ref. fabric.

MOSFET Infineon IPP048N12N3GXKSA1, VDSS 120 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 145-8728
Nº ref. fabric.:: IPP048N12N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP048N12N3GXKSA1, VDSS 120 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

78,65 €

(exc. IVA)

95,15 €

(inc.IVA)

Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde

Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
50 +	1,573 €	78,65 €

*precio indicativo

Código RS:: 145-8728
Nº ref. fabric.:: IPP048N12N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	120 V
	Serie	OptiMOS™ 3
	Tipo de Encapsulado	TO-220
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,8 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	4V
	Tensión de umbral de puerta mínima	2V
	Disipación de Potencia Máxima	300 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
	Material del transistor	Si
	Longitud	10.36mm
	Ancho	4.57mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	137 nC a 10 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Tensión de diodo directa	1.2V
	Altura	15.95mm

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 100 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 120 V
	Serie OptiMOS™ 3
	Tipo de Encapsulado TO-220
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 4,8 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 4V
	Tensión de umbral de puerta mínima 2V
	Disipación de Potencia Máxima 300 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
	Material del transistor Si
	Longitud 10.36mm
	Ancho 4.57mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 137 nC a 10 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Tensión de diodo directa 1.2V
	Altura 15.95mm

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Infineon IPP048N12N3GXKSA1, VDSS 120 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Enlaces relacionados