MOSFET Infineon IPP80N04S4L04AKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 857-6978
Nº ref. fabric.:: IPP80N04S4L04AKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP80N04S4L04AKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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*precio indicativo

Código RS:: 857-6978
Nº ref. fabric.:: IPP80N04S4L04AKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
	Serie	OptiMOS T2
	Tipo de Encapsulado	TO-220
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	2V
	Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
	Disipación de Potencia Máxima	71 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +20 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
	Material del transistor	Si
	Longitud	10mm
	Ancho	4.4mm
	Número de Elementos por Chip	1
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	46 nC a 10 V
	Altura	15.65mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 80 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V
	Serie OptiMOS T2
	Tipo de Encapsulado TO-220
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 6 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 2V
	Tensión de umbral de puerta mínima 1.2V
	Disipación de Potencia Máxima 71 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -16 V, +20 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
	Material del transistor Si
	Longitud 10mm
	Ancho 4.4mm
	Número de Elementos por Chip 1
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 46 nC a 10 V
	Altura 15.65mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon

La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

MOSFET Infineon IPP80N04S4L04AKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon

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