MOSFET Infineon IPP50R380CEXKSA1, VDSS 550 V, ID 10,6 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 145-8903
Nº ref. fabric.:: IPP50R380CEXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP50R380CEXKSA1, VDSS 550 V, ID 10,6 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

10 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 50)

0,61 €

(exc. IVA)

0,74 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	0,61 €	30,50 €
100 - 200	0,476 €	23,80 €
250 - 450	0,446 €	22,30 €
500 - 1200	0,415 €	20,75 €
1250 +	0,397 €	19,85 €

*precio indicativo

Código RS:: 145-8903
Nº ref. fabric.:: IPP50R380CEXKSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	10,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	550 V
Serie	CoolMOS™ CE
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	380 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	73 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	24,8 nC a 10 V
Longitud	10.36mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.57mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	0.85V
Altura	15.95mm