MOSFET Infineon IPP50R380CEXKSA1, VDSS 550 V, ID 14,1 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 892-2267
Nº ref. fabric.:: IPP50R380CEXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP50R380CEXKSA1, VDSS 550 V, ID 14,1 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Disponibilidad de stock no accesible

Código RS:: 892-2267
Nº ref. fabric.:: IPP50R380CEXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	14,1 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	550 V
	Tipo de Encapsulado	TO-220
	Serie	CoolMOS™ CE
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	380 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
	Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
	Disipación de Potencia Máxima	98 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Número de Elementos por Chip	1
	Ancho	4.57mm
	Material del transistor	Si
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	24,8 nC a 10 V
	Longitud	10.36mm
	Altura	15.95mm
	Tensión de diodo directa	0.85V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

	Seleccionar todo
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 14,1 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 550 V
	Tipo de Encapsulado TO-220
	Serie CoolMOS™ CE
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 380 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 3.5V
	Tensión de umbral de puerta mínima 2.5V
	Disipación de Potencia Máxima 98 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Número de Elementos por Chip 1
	Ancho 4.57mm
	Material del transistor Si
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 24,8 nC a 10 V
	Longitud 10.36mm
	Altura 15.95mm
	Tensión de diodo directa 0.85V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, corriente de drenaje continua máxima de 14,1 A, disipación de potencia máxima de 98 W - IPP50R380CEXKSA1

Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de potencia de alto voltaje, centrándose en la eficiencia y la fiabilidad. Al incorporar la tecnología CoolMOS™, mejora el rendimiento de conmutación al tiempo que minimiza las pérdidas, lo que la hace ventajosa para diversas aplicaciones industriales y mejora significativamente la gestión de la energía.

Características y ventajas

• La baja Rds(on) reduce las pérdidas por conducción, lo que contribuye a la eficiencia
• Alta corriente de drenaje continua para aplicaciones exigentes
• Simplifica la integración en los sistemas existentes gracias a su fácil manejo
• La tensión umbral de puerta flexible amplía la compatibilidad con distintos circuitos
• El robusto diseño del envase garantiza su durabilidad en entornos difíciles

Aplicaciones

• Adecuado para etapas de corrección del factor de potencia (PFC)
• Funciona bien en etapas PWM de conmutación dura
• Aplicable en conmutación resonante para televisores LCD y PDP
• Eficaz en iluminación para una gestión eficiente de la energía
• Utilizado en fuentes de alimentación para PC y sistemas de automatización

¿Cuál es la tensión puerta-fuente óptima para el funcionamiento?

El MOSFET funciona eficazmente con una tensión puerta-fuente máxima de ±30 V, optimizando el control en diversas aplicaciones.

¿Cómo se comporta este componente en entornos térmicos?

Con una disipación de potencia máxima de 98 W, funciona eficazmente entre -55 °C y +150 °C, lo que la hace adecuada para una amplia gama de condiciones térmicas.

¿Puede este componente manejar corrientes pulsadas?

Puede gestionar corrientes de impulso de hasta 32,4 A, soportando condiciones transitorias de forma competente sin comprometer el rendimiento.

¿Qué ventajas ofrece la tecnología de superunión?

La tecnología de superunión reduce tanto las pérdidas de conmutación como las de conducción, mejorando la eficiencia global y prolongando la vida útil del dispositivo en las aplicaciones.