MOSFET Infineon IPP50R380CEXKSA1, VDSS 550 V, ID 14,1 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
892-2267
Nº ref. fabric.:
IPP50R380CEXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

14,1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

550 V

Serie

CoolMOS™ CE

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

380 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

98 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.36mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

4.57mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

24,8 nC a 10 V

Tensión de diodo directa

0.85V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

15.95mm

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, corriente de drenaje continua máxima de 14,1 A, disipación de potencia máxima de 98 W - IPP50R380CEXKSA1


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de potencia de alto voltaje, centrándose en la eficiencia y la fiabilidad. Al incorporar la tecnología CoolMOS™, mejora el rendimiento de conmutación al tiempo que minimiza las pérdidas, lo que la hace ventajosa para diversas aplicaciones industriales y mejora significativamente la gestión de la energía.

Características y ventajas


• La baja Rds(on) reduce las pérdidas por conducción, lo que contribuye a la eficiencia
• Alta corriente de drenaje continua para aplicaciones exigentes
• Simplifica la integración en los sistemas existentes gracias a su fácil manejo
• La tensión umbral de puerta flexible amplía la compatibilidad con distintos circuitos
• El robusto diseño del envase garantiza su durabilidad en entornos difíciles

Aplicaciones


• Adecuado para etapas de corrección del factor de potencia (PFC)
• Funciona bien en etapas PWM de conmutación dura
• Aplicable en conmutación resonante para televisores LCD y PDP
• Eficaz en iluminación para una gestión eficiente de la energía
• Utilizado en fuentes de alimentación para PC y sistemas de automatización

¿Cuál es la tensión puerta-fuente óptima para el funcionamiento?


El MOSFET funciona eficazmente con una tensión puerta-fuente máxima de ±30 V, optimizando el control en diversas aplicaciones.

¿Cómo se comporta este componente en entornos térmicos?


Con una disipación de potencia máxima de 98 W, funciona eficazmente entre -55 °C y +150 °C, lo que la hace adecuada para una amplia gama de condiciones térmicas.

¿Puede este componente manejar corrientes pulsadas?


Puede gestionar corrientes de impulso de hasta 32,4 A, soportando condiciones transitorias de forma competente sin comprometer el rendimiento.

¿Qué ventajas ofrece la tecnología de superunión?


La tecnología de superunión reduce tanto las pérdidas de conmutación como las de conducción, mejorando la eficiencia global y prolongando la vida útil del dispositivo en las aplicaciones.


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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