MOSFET Infineon SPP15P10PHXKSA1, VDSS 100 V, ID 15 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

15 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

SIPMOS®

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

240 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

128 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

37 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Ancho

4.57mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

15.95mm

Tensión de diodo directa

1.35V