MOSFET Infineon IPP70N10S3L12AKSA1, VDSS 100 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 857-6956
Nº ref. fabric.:: IPP70N10S3L12AKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP70N10S3L12AKSA1, VDSS 100 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
500 - 2000	1,131 €	565,50 €
2500 - 4500	1,102 €	551,00 €
5000 +	1,075 €	537,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 857-6956
Nº ref. fabric.:: IPP70N10S3L12AKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	70 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
	Tipo de Encapsulado	TO-220
	Serie	OptiMOS T
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	15,8 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	2.4V
	Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
	Disipación de Potencia Máxima	125 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	60 nC a 10 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
	Material del transistor	Si
	Longitud	10mm
	Ancho	4.4mm
	Altura	15.65mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 70 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V
	Tipo de Encapsulado TO-220
	Serie OptiMOS T
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 15,8 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 2.4V
	Tensión de umbral de puerta mínima 1.2V
	Disipación de Potencia Máxima 125 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 60 nC a 10 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
	Material del transistor Si
	Longitud 10mm
	Ancho 4.4mm
	Altura 15.65mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

MOSFET de potencia OptiMOS™ T de Infineon

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

MOSFET Infineon IPP70N10S3L12AKSA1, VDSS 100 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia OptiMOS™ T de Infineon

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