MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPP100N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 70 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
145-9314
Nº ref. fabric.:
IPP100N08N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

OptiMOS™ 3

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20, -20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Simple

Longitud

10.36mm

Altura

15.95mm

Anchura

4.57mm

Número de elementos por chip

1

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM3, 60 a 80 V


Los productos OptiMOSTM están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para abordar las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de los estándares de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones informáticas.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Calificado según JEDEC1) para aplicaciones de destino

canal N, nivel lógico

Excelente carga de puerta x producto R DS(on) (FOM)

Resistencia de conexión muy baja R DS(on)

Revestimiento sin Pb

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa cartera de dispositivos MOSFET que incluye las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Proporcionan el mejor rendimiento de su clase para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Los diseños que requieren características de protección mejoradas y de alta calidad se benefician de los MOSFET con certificación de automoción de los estándares industriales AEC-Q101.

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