MOSFET Infineon IPP100N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 145-9314
Nº ref. fabric.:: IPP100N08N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP100N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Producto Descatalogado

Código RS:: 145-9314
Nº ref. fabric.:: IPP100N08N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

IPP100N08N3 G, IPI100N08N3 G, IPB097N08N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

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Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	18,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	100 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	26 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.36mm
Ancho	4.57mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	15.95mm

MOSFET Infineon IPP100N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V

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