MOSFET Infineon, N-Canal IPP100N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 70 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 145-9314
- Nº ref. fabric.:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible
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- Código RS:
- 145-9314
- Nº ref. fabric.:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 80 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 70 A | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión directa (Vf) | 1.2 V | |
| Altura | 15.95 mm | |
| Longitud | 10.36 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 18.2 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V, -20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 100 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Anchura | 4.57 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 80 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 70 A | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión directa (Vf) 1.2 V | ||
Altura 15.95 mm | ||
Longitud 10.36 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 18.2 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V, -20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 100 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Anchura 4.57 mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1) for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Pb-free plating
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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