MOSFET Infineon IPP80N06S207AKSA1, VDSS 55 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 857-6987
Nº ref. fabric.:: IPP80N06S207AKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP80N06S207AKSA1, VDSS 55 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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5000 +	0,967 €	483,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 857-6987
Nº ref. fabric.:: IPP80N06S207AKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
	Tipo de Encapsulado	TO-220
	Serie	OptiMOS
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6,6 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	4V
	Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
	Disipación de Potencia Máxima	250 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Material del transistor	Si
	Ancho	4.4mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	86 nC a 10 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
	Longitud	10mm
	Altura	15.65mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 80 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
	Tipo de Encapsulado TO-220
	Serie OptiMOS
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 6,6 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 4V
	Tensión de umbral de puerta mínima 2.1V
	Disipación de Potencia Máxima 250 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Material del transistor Si
	Ancho 4.4mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 86 nC a 10 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
	Longitud 10mm
	Altura 15.65mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon

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Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo

Transistores MOSFET, Infineon

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MOSFET Infineon IPP80N06S207AKSA1, VDSS 55 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon

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