MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 80 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 168-4815
- Nº ref. fabric.:
- IXTH80N65X2
- Fabricante:
- IXYS
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
287,85 €
(exc. IVA)
348,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 30 Envío desde el 20 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 9,595 € | 287,85 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-4815
- Nº ref. fabric.:
- IXTH80N65X2
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | X2-Class | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 38mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 890W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 137nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Anchura | 21.34 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.21mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie X2-Class | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 38mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 890W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 137nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.13mm | ||
Anchura 21.34 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.21mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- US
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS clase X2
La serie de MOSFET de potencia IXYS clase X2 ofrece una carga de resistencia y compuerta significativamente menor que las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, las pérdidas son menores y la eficiencia operativa es mayor. Estos sólidos dispositivos tienen un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en diversos paquetes estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares y control de iluminación y temperatura.
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines