MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STHU65N110DM9AG, VDSS 650 V, ID 26 A, N, HU3PAK de 7 pines

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Código RS:
762-553
Nº ref. fabric.:
STHU65N110DM9AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

STHU65N1

Encapsulado

HU3PAK

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

78nC

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

14.1 mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

11.9mm

Altura

0.95mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
JP
El MOSFET de potencia de superunión de canal N de STMicroelectronics es un dispositivo de potencia de alta eficiencia basado en la tecnología de superunión MDmesh M9 avanzada. Está diseñado para aplicaciones de media a alta tensión donde las bajas pérdidas de conducción y la conmutación rápida son críticas.

FOM muy bajo

Capacidad dv/dt superior

Excelente rendimiento de conmutación

100 % a prueba de avalancha

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