MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STHU47N60DM6AG, VDSS 600 V, ID 36 A, HU3PAK de 7 pines
- Código RS:
- 234-8901
- Nº ref. fabric.:
- STHU47N60DM6AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 234-8901
- Nº ref. fabric.:
- STHU47N60DM6AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Serie | STHU47 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Serie STHU47 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
Certificación AEC-Q101
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
RDS(on) más bajo por área en comparación con la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
Probado al 100 % contra avalancha
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