MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STHU47N60DM6AG, VDSS 600 V, ID 36 A, HU3PAK de 7 pines

Código RS:: 234-8899
Nº ref. fabric.:: STHU47N60DM6AG
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STHU47N60DM6AG, VDSS 600 V, ID 36 A, HU3PAK de 7 pines

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Código RS:: 234-8899
Nº ref. fabric.:: STHU47N60DM6AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	36A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	HU3PAK
	Serie	STHU47
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	80mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	25 V
	Disipación de potencia máxima Pd	250W
	Tensión directa Vf	1.6V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	55nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 36A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado HU3PAK
	Serie STHU47
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V
	Disipación de potencia máxima Pd 250W
	Tensión directa Vf 1.6V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - STHU47N60DM6AG

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Certificación AEC-Q101

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

RDS(on) más bajo por área en comparación con la generación anterior

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

Probado al 100 % contra avalancha

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STHU47N60DM6AG, VDSS 600 V, ID 36 A, HU3PAK de 7 pines

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