MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STHU47N60DM6AG, VDSS 600 V, ID 36 A, HU3PAK de 7 pines

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Código RS:
234-8899
Nº ref. fabric.:
STHU47N60DM6AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

36A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

STHU47

Encapsulado

HU3PAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

55nC

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Certificación AEC-Q101

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

RDS(on) más bajo por área en comparación con la generación anterior

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

Probado al 100 % contra avalancha

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